[发明专利]一种高效发光二极管外延片及制备方法

摘要

本发明提供了一种高效发光二极管外延片及制备方法，发光二极管外延片包括衬底，以及依次沉积在衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、N型电子阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；N型电子阻挡层包括依次沉积在N型GaN层上的SiN层、AlaSi1‑aN层以及超晶格层，超晶格层包括按预设周期依次交替沉积的Si掺AlbGa1‑bN层和非掺AlxInyGa1‑x‑yN层。本发明通过在在N型GaN层与多量子阱层之间插入了一层N型电子阻挡层，降低电子的移动速度，有效的减少N型GaN层中电子冲过多量子阱层到达P型GaN层与空穴发生非辐射复合，提高电子与空穴在量子阱层辐射复合效率。