[发明专利]一种高效发光二极管外延片及制备方法

权利要求书

1.一种高效发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，以及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、N型电子阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；

所述N型电子阻挡层包括依次沉积在所述N型GaN层上的SiN层、Al_aSi_1-aN层以及超晶格层，所述超晶格层包括按预设周期依次交替沉积的Si掺Al_bGa_1-bN层和非掺Al_xIn_yGa_1-x-yN层。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，在所述Al_aSi_1-aN层中Al含量沿所述外延片的生长方向逐渐升高，a的取值为0.01-1。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Si掺Al_bGa_1-bN层中b的取值为0-0.5。

4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述Si掺Al_bGa_1-bN层中掺杂Si的浓度为1*10¹⁶atoms/cm³-1*10¹⁸atoms/cm³。

5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述非掺Al_xIn_yGa_1-x-yN层中x的取值为0-0.1，y的取值为0-0.1。

6.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述SiN层的厚度为1nm-100nm，所述Al_aSi_1-aN层的厚度为1nm-100nm，所述Si掺Al_bGa_1-bN层的厚度为1nm-50nm，所述非掺Al_xIn_yGa_1-x-yN层的厚度为1nm-10nm。

7.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述预设周期为1-20。

8.一种制备权利要求1-7任意一项权利要求所述的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上依次沉积缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、N型电子阻挡层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；

其中，所述N型电子阻挡层包括依次沉积在所述N型GaN层上的SiN层、Al_aSi_1-aN层以及超晶格层，所述超晶格层包括按预设周期依次交替沉积的Si掺Al_bGa_1-bN层和非掺Al_xIn_yGa_1-x-yN层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述N型电子阻挡层生长过程中的生长气氛为N₂/NH₃成分比例为1:5-5:1的混合气。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述N型电子阻挡层生长过程中的生长压力为50torr-300torr；

所述SiN层以及所述Al_aSi_1-aN层的沉积生长温度为900℃-1100℃，所述超晶格层的沉积生长温度为800℃-1000℃。