[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

摘要

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底具有相对的第一面和第二面；于基底内形成第一离子注入层；于基底内形成多个间隔排布的感光器件区，感光器件区位于第一离子注入层远离第一面的表面；于基底内形成深沟槽，深沟槽位于相邻感光器件区之间；于深沟槽和感光器件区之间形成隔离环，隔离环与第一离子注入层远离第一面的表面相接触。本申请的半导体结构的制备方法可以避免各个感光器件区之间发生串扰，以及可以将感光器件区与半导体结构内的其他结构层相隔离，避免感光器件区与其他结构层之间产生短路连接，实现对感光器件区的充分隔离和保护。