[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

说明书

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底具有相对的第一面和第二面；于基底内形成第一离子注入层；于基底内形成多个间隔排布的感光器件区，感光器件区位于第一离子注入层远离第一面的表面；于基底内形成深沟槽，深沟槽位于相邻感光器件区之间；于深沟槽和感光器件区之间形成隔离环，隔离环与第一离子注入层远离第一面的表面相接触。本申请的半导体结构的制备方法可以避免各个感光器件区之间发生串扰，以及可以将感光器件区与半导体结构内的其他结构层相隔离，避免感光器件区与其他结构层之间产生短路连接，实现对感光器件区的充分隔离和保护。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，对BSI（Back side illumination，背照式）半导体器件中的感光器件区的感光性能要求越来越高，为提升感光性能，需要对感光器件区进行隔离保护。

而常规的隔离保护方式仅是在相邻的感光器件区之间设置简单填充的隔离结构，这种方式无法充分将感光器件区进行隔离保护，会造成相邻感光器件区之间以及感光器件区与其他结构层之间产生CT（cross talk，串扰）等负面效应。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：

提供基底，所述基底具有相对的第一面和第二面；

于所述基底内形成第一离子注入层；

于所述基底内形成多个间隔排布的感光器件区，所述感光器件区位于所述第一离子注入层远离所述第一面的表面；

于所述基底内形成深沟槽，所述深沟槽位于相邻所述感光器件区之间；

于所述深沟槽和所述感光器件区之间形成隔离环，所述隔离环与所述第一离子注入层远离所述第一面的表面相接触。

本申请的半导体结构的制备方法中，通过在相邻的感光器件区之间形成深沟槽，深沟槽可以将感光器件区分离开来，以及通过在深沟槽和感光器件区之间形成隔离环，隔离环可以将各个感光器件区进行隔离保护，可以避免各个感光器件区之间发生串扰；且隔离环与第一离子注入层远离第一面的表面相接触，以将感光器件区与半导体结构内的其他结构层相隔离，可以避免感光器件区与其他结构层之间产生短路连接，实现对感光器件区的充分隔离和保护。

在其中一个实施例中，所述于所述深沟槽和所述感光器件区之间形成隔离环，包括：

至少于所述深沟槽的侧壁形成牺牲层，所述牺牲层内包括III族元素中的任意一种或几种的组合；

对所得结构进行退火处理，以使所述牺牲层内的III族元素移动至所述深沟槽与所述感光器件区之间，以形成所述隔离环。

在其中一个实施例中，所述牺牲层包括硼硅层；所述对所得结构进行退火处理的过程中，所述硼硅层分解为硼离子和硅离子，所述硼离子移动至所述深沟槽与所述感光器件区之间，以形成所述隔离环，所述硅离子被氧化至少于所述深沟槽的侧壁形成第一介质层。

在其中一个实施例中，所述于所述基底内形成所述第一离子注入层之后，于所述基底内形成多个间隔排布的感光器件区之前，所述半导体结构的制备方法还包括：于所述基底内形成第二离子注入层，所述第二离子注入层位于所述第一离子注入层与所述基底的所述第一面之间；

所述对所得结构进行退火处理的过程中，所述第二离子注入层转变为第二介质层。