[发明专利]硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池

摘要

本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法、TOPCon电池，制备方法包括如下步骤：对清洗制绒后的硅片进行硼扩散，再进行激光局部重掺杂，最后对硅片进行修复得到硼掺杂选择性发射极，硼扩散的步骤包括对硅片表面进行第一次氧化形成氧化硅层，再进行预沉积，升温后驱入推进，再进行第二次氧化，最后降温出炉；第二次氧化步骤的温度低于驱入推进步骤的温度。本发明的硼掺杂选择性发射极的制备方法，通过在硼扩散步骤中降低第二次氧化的温度，实现了硅片表面具备高的硼掺杂浓度的同时，硼硅玻璃层的厚度较薄，克服了由于硼原子的低扩散系数和低分离系数导致的扩散动力学不足的困难，有利于降低电池的接触电阻，提升电池的转化效率。