[发明专利]一种MOSFET芯片的封装工艺在审
| 申请号： | 202310248195.0 | 申请日： | 2023-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115954284A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张光耀 | 申请（专利权）人： | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明申请公开了一种MOSFET芯片的封装工艺，包括，将芯片的A面装贴在焊盘的基岛上，芯片的B面镀上一层金属层，包封料将芯片和焊盘完全包封，封装体顶面高于与A面相对的芯片的B面；将包封料顶面区域钻孔形成电性引出孔和电性连接孔，电性连接孔底部与芯片的B面之间间隔包封料，电性引出孔的底部与焊盘的外焊脚直接接触；蚀刻去除间隔的包封料，电性连接孔直接与芯片的B面上的金属层接触；通过电镀重布线层，以实现芯片与电性连接孔、电性引出孔以及外焊脚的电性连接，本申请通过打孔后重布线，进一步缩小封装厚度，作业安全性和芯片稳定性更高，工艺简单，成本降低，适用于大功率和高导热芯片封装，电性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 芯片 封装 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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