[发明专利]一种MOSFET芯片的封装工艺

权利要求书

1.一种MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：

贴片包封步骤：将芯片的A面装贴在焊盘的基岛上，芯片的B面镀上一层金属层，包封料将芯片和焊盘完全包封，封装体顶面高于与A面相对的芯片的B面；

钻孔步骤：将包封料顶面区域钻孔形成电性引出孔和电性连接孔，电性连接孔底部与芯片的B面之间间隔包封料，电性引出孔的底部与焊盘的外焊脚直接接触；

蚀刻步骤：蚀刻去除间隔的包封料，电性连接孔直接与芯片的B面上的金属层接触；

电镀并包封步骤：通过电镀技术电镀重布线层，以实现芯片与电性连接孔、电性引出孔以及外焊脚的电性连接，整体包封，并切割为单一产品。

2.根据权利要求1所述的MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，所述贴片包封步骤中，还包括，提供一承载板，焊盘和外焊脚设置在承载板上，且焊盘与外焊脚之间填充有绝缘层，所述焊盘与外焊脚表面平整且等高，其相对于绝缘层为凸出、凹陷或者齐平。

3.根据权利要求2所述的MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，所述贴片包封步骤中，芯片的B面的金属层为厚度≥2μm的镍、金或者铜，包封后芯片的B面到封装料顶面的厚度范围为40～80μm。

4.根据权利要求3所述的MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，所述钻孔步骤中，通过激光钻孔形成电性引出孔和电性连接孔，钻孔后留下的间隔包封料的厚度范围为5～30μm，阻隔激光灼烧热量。

5.根据权利要求4所述的MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，所述蚀刻步骤中，通过等离子技术整面蚀刻去除间隔的包封料。

6.根据权利要求5所述的MOSFET芯片的封装工艺，其特征在于，所述电镀并包封步骤中，还包括，包封后整体形成封装体，剥离承载板，并在暴露于封装体底部的焊盘和外焊脚底面镀锡或金。