[发明专利]键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备在审
| 申请号： | 202310246317.2 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116469837A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 卢奕鹏;郑磊;杨冲;赵雷 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 程杰 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请属于传感器技术领域，具体涉及一种键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备。本申请中的键合结构包括：第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆、第二晶圆之间设有至少一组键合区域与至少两组错位结构，错位结构位于键合区域两侧；键合区域包括形成于第一晶圆表面的铝键合层、形成于第二晶圆表面的锗键合层，锗键合层与铝键合层键合接触；错位结构包括位于铝键合层两侧的凸起，及位于锗键合层两侧的沟槽，凸起伸入沟槽形成错位结构。解决了现有传感器，尤其是压电MEMS传感器中的铝锗共晶键合存在共晶流动和延展现象导致的键合工艺窗口以及均匀性难以控制，及铝锗键合精细度不足、尺寸大等问题。包含该键合结构的压电MEMS传感器在可穿戴设备中具备较好应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 mems 传感器 穿戴 设备 | ||
【主权项】：
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