[发明专利]一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统在审
| 申请号： | 202310211232.0 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116288693A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张茂林;姚苏昊;姚佳飞;刘增;郭宇锋;唐为华 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B25/10;C30B29/16;C23C16/455 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 226006 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 输运 化学 沉积 生长 氧化 薄膜 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司，未经南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310211232.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
