[发明专利]一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统

权利要求书

1.一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，所述气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，所述气流恒温装置位于气流输运管道内部。

2.根据权利1所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流恒温装置由形状镜像对称的两块石英座组合而成，所述石英座为半圆柱形状，一端斜向下切割一部分，所述石英座的弧形外壁紧贴在所述气流输运管道的内壁上，两块石英座之间留有空隙供气流通过，将所述石英座未切割部分两两相对的空隙设置为薄膜生长区，将所述石英座切割部分两两相对的空隙设置为线性聚集区，通过设置镜像对称的两块石英座，实现薄膜生长区的温场均匀化，有利于提高薄膜生长的纯度和均匀度。

3.根据权利要求1所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流输运管道为石英圆管道，外部由加热装置所覆盖，一端通过法兰和所述气流喷管相连，另一端通过法兰与所述温度监测装和排气系统相连。

4.根据权利要求3所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流输运管道的直径为50 mm，所述排气系统末端设置有尾气收集装置。

5.根据权利要求1所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流恒温装置在所述气流输运管道内部自由滑动，从而能够获得最优的生长温度。

6.根据权利要求4所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述温度监测装置由热电偶、温控仪构成，所述温度监测装置嵌套于所述气流输运管道部分的长度在100 mm到500 mm之间，所述热电偶的直径小于所述气流输运管道。

7.根据权利要求6所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流喷管为石英圆管道，嵌套于所述气流输运管道部分的长度在100 mm到500mm之间，所述气流喷管的直径小于所述气流输运管道。

8.根据权利要求1所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述气流导管一端与载气收纳装置、载气阀门、镓源溶液收纳装置、超声雾化装置相连，另一端与所述气流喷管相连。

9.根据权利要求8所述的雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，其特征在于，所述载气收纳装置内收纳有载气，所述载气选用惰性气体，所述镓源溶液收纳装置内收纳有镓源的水溶液，所述雾化装置的超声频率为2.2兆赫。