[发明专利]一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310208052.7 | 申请日： | 2023-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN116031293A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李述体;贺宇浩;石宇豪;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高介电常数栅介质叠层的槽栅增强型MISHEMT器件及其制备方法，包括外延叠层和位于外延叠层上的高介电常数栅介质层、源极和漏极，外延叠层包括依次层叠的缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层和GaN帽层，栅极凹槽沿GaN帽层的表面延伸至AlGaN势垒层中一定深度；栅介质层包括依次层叠的AlON介质层、HfAlON介质层和HfTaO介质层，HfTaO介质层中，Ta组分为40％～45％。该器件结构实现了更高水平的界面层，减小了栅极漏电和亚阈值摆幅，增大了栅压摆幅，保证高k材料的非晶相，减少高k材料结晶所引起的器件电学特性的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 介电常数 介质 增强 mishemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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