[发明专利]一种三源共蒸制备CsPbBr3

摘要

本发明公开了一种三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法。通过分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料，通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上的原料的质量，进而标定PEABr、CsBr和PbBr2的实际蒸发速率，选用合适的蒸发速率，得到致密低缺陷的CsPbBr3厚膜。本发明避免了对现有制备技术的使用，解决了现有技术中存在的技术问题。并通过三源共蒸制备低缺陷浓度的CsPbBr3膜，通过引入PEABr，利用其钝化缺陷作用，填补Br空位缺陷，并且能够形成二维RP型钙钛矿，可以有效减少缺陷浓度，显著减少暗电流浓度，并且提高CsPbBr3探测器性能，以便和后端成像面板兼容。