[发明专利]一种三源共蒸制备CsPbBr3 在审
申请号: | 202310109324.8 | 申请日: | 2023-02-14 |
公开(公告)号: | CN116024549A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 唐江;牛广达;巫皓迪;陈旭 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/30;C23C16/52;G01T1/202;C30B29/64;C30B28/14;C30B25/00;C30B29/12 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 韦汉 |
地址: | 436044 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三源共蒸 制备 cspbbr base sub | ||
1.一种三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,包括:
分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料;
通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上所述原料的质量;
通过计算得到的原料的质量标定所述PEABr、CsBr和PbBr2原料的实际蒸发速率,进行三源共蒸,得到CsPbBr3厚膜。
2.如权利要求1所述的三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,所述分别同时蒸发PEABr、CsBr和PbBr2原料,包括:
取所述CsBr和PbBr2原料分别放在蒸发设备的两个蒸发舟内,取所述PEABr原料放到所述蒸发设备的坩埚内,将所述基底固定在所述蒸发舟上方的蒸发腔内;
对所述蒸发腔抽真空;
打开加热功能,分别通过调节加在所述蒸发舟上的电流大小,来控制所述CsBr和PbBr2原料上方晶振显示的蒸发速率;通过调节加在所述坩埚上的电流,来控制所述PEABr原料的蒸发速率;
当所述蒸发速率稳定后,打开基底挡板,进行基底旋转。
3.如权利要求2所述的三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,在所述取所述CsBr和PbBr2原料分别放在蒸发设备的两个蒸发舟内,取所述PEABr原料放到所述蒸发设备的坩埚内之前,还包括:
将所述PEABr、CsBr和PbBr2原料放在手套箱里面,并利用热台进行130℃烘烤30min,除去吸附的水分。
4.如权利要求2所述的三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,所述对所述蒸发腔抽真空,包括:
通过调控机械泵和分子泵,将所述蒸发腔内真空抽到5*10-4Pa。
5.如权利要求1所述的三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,所述通过计算得到的原料的质量标定所述PEABr、CsBr和PbBr2原料的实际蒸发速率,包括:
通过公式V1PEABr=(m1-m0)/(MPEABr*S*T)计算得到所述PEABr原料的实际蒸发速率;其中,m1为蒸发后的基底质量,m0为蒸发前的基底质量,MPEABr为所述PEABr原料的相对原子质量,S为所述基底的面积,T为蒸发时间;
通过公式V1CsBr=(m1-m0)/(M CsBr*S*T)计算得到所述CsBr原料的实际蒸发速率;其中,MCsBr为所述CsBr原料的相对原子质量;
通过公式V1PbBr2=(m1-m0)/(M PbBr2*S*T)计算得到所述PbBr2原料的实际蒸发速率;其中,M PbBr2为所述PbBr2的相对原子质量。
6.如权利要求1所述的三源共蒸制备CsPbBr3膜的方法,其特征在于,所述进行三源共蒸,得到CsPbBr3厚膜,包括:
获得所述蒸发设备显示的实时蒸发速率;
对所述实时蒸发速率和所述原料的实际蒸发速率进行线性拟合,得到拟合后的蒸发速率;
对所述CsBr和PbBr2原料以等摩尔比的蒸发速率蒸发,使所述CsBr和PbBr2原料拟合后的蒸发速率相等;
通过调节加在所述坩埚上的电流,来控制所述PEABr原料的蒸发速率,进行三源共蒸,得到所述CsPbBr3厚膜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的