专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种白光OLED的制备方法-CN201010198948.4无效
  • 马颖;张方辉;牟强;张麦丽;蒋谦;刘丁菡 - 陕西科技大学
  • 2010-06-12 - 2010-11-03 - H01L51/56
  • 首先将ITO玻璃清洗并烘干后进行等离子轰击预处理,随后,将处理后的ITO玻璃移转至镀膜机中,同时,依次将电子阻挡层用材料、空穴传输层用材料、发光层用材料、电子传输层用材料和阴极层用材料移转至镀膜机中进行镀发光层时,首先将主体材料和蓝色掺杂剂进行双,其中蓝色掺杂剂的比例为2%,最后,再将主体材料、蓝色掺杂剂和红色掺杂剂进行,其中,蓝色掺杂剂的比例为2%,红色掺杂剂的比例为6%。
  • 一种白光oled制备方法
  • [发明专利]一种超高温煮食品包装薄膜及其制备方法-CN201910922492.2有效
  • 苏壮;盛金华 - 珠海市德燊环保包装有限公司
  • 2019-09-26 - 2021-11-02 - B32B27/32
  • 本发明提供一种超高温煮食品包装薄膜及其制备方法,包括由不同物理性能的聚丙烯和含辛烯共聚单体金属线性聚乙烯塑胶原料颗粒混、并采用挤吹膜机上吹风冷法吹制成膜形成挤层,挤层由内层基膜、中层基膜、外层基膜组成,内层基膜为热封层,外层基膜为电晕处理层或复合层;制备时,首先,通过挤吹膜机对各层料筒温度、风冷温度、吹胀比和冷凝线参数进行设置,然后采用挤上吹法制备内层基膜、中层基膜和外层基膜,得到多层结构复合且综合性能优异的食品包装薄膜,有效的达到超高温煮级别,在超高温煮条件下,包装的食品能耐135℃煮1小时和145℃可煮10分钟,可应用于各种肉类、禽类的135℃/60min和145℃/10min煮。
  • 一种超高温食品包装薄膜及其制备方法
  • [发明专利]镀膜装置及镀膜方法-CN201410211636.0有效
  • 邹忠哲 - 上海和辉光电有限公司
  • 2014-05-19 - 2014-08-20 - C23C14/24
  • 本发明提供一种向被处理基板进行镀的镀膜装置和镀膜方法,该镀膜装置包括:第一,设置于所述被处理基板的下方;第二,设置于所述被处理基板的下方;以及第一开孔遮板,设置于所述第一与所述被处理基板之间,所述第一开孔遮板包括多个开孔密度不同的开孔区域,可通过旋转,以使开孔密度不同的开孔区域对准所述第一。本发明的镀膜装置和镀膜方法可在镀的过程中方便地调整不同镀材料的比例,不会影响镀膜质量,且成本较低,适用于工业生产应用。
  • 镀膜装置方法
  • [实用新型]一种点镀装置及镀膜层点镀结构-CN202220135977.4有效
  • 庄丹丹;孙玉俊 - 福建华佳彩有限公司
  • 2022-01-12 - 2022-07-12 - C23C14/24
  • 本实用新型公开一种点镀装置及镀膜层点镀结构,其包括点系统和晶振系统,点系统包括第一点滑轨,所述第一点滑轨上滑动连接有至少两个点;所述晶振系统包括第一晶振滑轨,所述第一晶振滑轨上滑动连接有至少两个晶振;所述第一点滑轨上的工作位和第一晶振滑轨上的工作位对应设置;进行镀时,将其中一个点推送至第一点滑轨的工作位上,同时将配套的晶振推送至第一晶振滑轨的工作位上。本实用新型采用轮替式点镀的设计,保持镀角不变,膜厚均匀的部分可完好地叠加到一起,降低精细金属掩膜板的镀补充调整难度,同一个器件或面板中的光电性能分布均匀,降低器件或面板的损害风险,提高器件或面板的寿命
  • 一种点源蒸镀装置镀膜层点源蒸镀结构
  • [发明专利]一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法-CN201710442771.X在审
  • 廖良生;王强;胡云;王照奎 - 苏州大学
  • 2017-06-13 - 2017-10-20 - H01L51/56
  • 本发明提供了一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法,该方法包括如下步骤(1)将ITO透明导电玻璃基片进行标准化清洗烘干后进行预处理;(2)将ITO转移至真空腔,进行空穴注入层和传输层镀;(3)采用双镀的方法,镀形成纯无机的CsPbX3钙钛矿发光层薄膜;(4)使用红外热辐射装置,对CsPbX3钙钛矿膜热处理;(5)热镀形成电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。本发明的制作工艺简单便捷,制备难度低,采用全真空镀的方法制备器件,易于制作,重复性好,器件性能稳定;通过双镀制备方法,提高了薄膜的平整性和均一性,并且便于更换主体和客体材料或者改变两者比例,实现发光峰位置的调控
  • 一种无机钙钛矿发光二极管器件制备方法
  • [发明专利]一种CIGS法的硒外置式结构-CN202011592347.1在审
  • 朱路路;罗明新;徐彩军;任宇航 - 尚越光电科技股份有限公司
  • 2020-12-29 - 2021-04-09 - C23C14/26
  • 本发明涉及一种CIGS法的硒外置式结构,解决CIGS法的各元素蒸发源蒸发温度高低差异大,铜、铟镓合金的高温辐射对硒相邻侧的温度产生影响,会导致硒蒸发不稳定,影响产品质量的问题。本装置包括真空腔,真空腔内设有待镀膜的基底,其特征在于:所述基底下方设置有硒、铜、铟、镓,所述硒为设置在真空腔下方外侧的外置硒,真空腔下壁通过硒蒸气导向管连接外置硒,所述硒蒸气导向管沿输送方向设置若干加热电极本发明外置硒不会受到铜、铟、镓的辐射热影响,可以精准控温,蒸汽羽流稳定,同时,外置硒方便硒的添加和用量控制,也方便未用完的硒回收。
  • 一种cigs共蒸法外置结构

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