[发明专利]一种双基岛引线框架及其制备工艺在审
| 申请号： | 202310105068.5 | 申请日： | 2023-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN116364684A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 沈健;高迎阳;陈奉明 | 申请（专利权）人： | 泰州东田电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 合肥左心专利代理事务所(普通合伙) 34152 | 代理人： | 朱磊 |
| 地址： | 225300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种双基岛引线框架，包括板体，所述板体正面的上下侧开设有若干定位孔、工艺定位孔，所述板体上开设有若干均匀分布的框架单元，且框架单元上设置有相互独立的封装体，所述封装体上设置有相邻的第一基岛、第二基岛。该双基岛引线框架及其制备工艺，通过以精密冲压框架取代蚀刻框架，节能减排，在冲压时基本不会造成废水、废液排放，对环境几乎不会造成污染，此外采用冲压生产的方式，效率较高，可达到蚀刻生产的几十倍，能耗与人工成本大幅度减少，降低产品的价格，半导体生产企业的采购成本大为降低，提高了产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双基岛 引线 框架 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州东田电子有限公司，未经泰州东田电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310105068.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
