[发明专利]一种双基岛引线框架及其制备工艺

权利要求书

1.一种双基岛引线框架，包括板体(1)，其特征在于：所述板体(1)正面的上下侧开设有若干定位孔(2)、工艺定位孔(3)，所述板体(1)上开设有若干均匀分布的框架单元(4)，且框架单元(4)上设置有相互独立的封装体(12)，所述封装体(12)上设置有相邻的第一基岛(5)、第二基岛(6)，所述封装体(12)上开设有位于第一基岛(5)、第二基岛(6)一侧的右引线脚(9)、左引线脚(11)，所述第一基岛(5)、第二基岛(6)远离右引线脚(9)、左引线脚(11)的一端均设置有多个外引线(14)，且第一基岛(5)、第二基岛(6)的对立侧均设置有工艺连筋(15)，所述第一基岛(5)、第二基岛(6)的四周均开设有墩台(13)，所述右引线脚(9)、左引线脚(11)上采用冲压的方式均设置有打沉部(10)。

2.根据权利要求1所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述定位孔(2)、工艺定位孔(3)交错分布于板体(1)正面的上下两侧，所述工艺定位孔(3)的形状为腰型。

3.根据权利要求1所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述板体(1)上开设有位于相邻框架单元(4)之间的切筋工艺定位孔(8)，且切筋工艺定位孔(8)的长度值为板体(1)总宽度值的五分之一至三分之一。

4.根据权利要求1所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述板体(1)上开设有穿插于框架单元(4)内部的浇道孔(7)，且浇道孔(7)的长度值为板体(1)总宽度值的十五分之一至十分之一。

5.根据权利要求1所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述右引线脚(9)的整体形状为“L”，所述左引线脚(11)的整体为不规则形状，所述打沉部(10)位于右引线脚(9)或者左引线脚(11)的头部。

6.根据权利要求5所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述打沉部(10)的整体下沉深度为0.203±0.02mm。

7.根据权利要1所述的一种双基岛引线框架，其特征在于：所述板体(1)整体厚度为0.254±0.008mm，所述板体(1)整体采用194铜合金材料制备。

8.根据权利要求1-7所述的一种双基岛引线框架的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、产品图纸设计：主要包括模具设计以及清洗设备图纸设计；

模具设计：根据板体(1)整体结构对冲压模具进行设计，着重于右引线脚(9)、左引线脚(11)上打沉部(10)的打沉结构设计、减小冲裁圆角的设计、由于冲裁尺寸较小对保护间隙的设计，对整体平整度以及引脚一致性共面性的设计；

清洗设备图纸设计：定制卷式清洗线，增加超声清洗、表面镀铜、防银胶扩散处理工艺；

S2、清洗设备调试：在生产制备前，根据相关规定对清洗设备，主要是对卷式清洗线进行运行进行调试；

S3、原材料准备：根据板体(1)整体尺寸，将原材料冲压至规定尺寸，完成对原材料的制备；

S4、在线检测冲压：通过冲压设备将产品冲压成型，并设置在线影像检测设备，对冲压产品进行实时检测监控，出现不良，及时报警，及时停机；

S5、清洗：在产品冲压生产后，采用卷式清洗线对产品进行清洗，在在常规清洗线的基础上增加阴极电解除油、阳极电解除油、超声清洗、表面镀铜、防银胶扩散等工序，满足DFN框架的表面质量要求；

S6、检验包装：对生产后的产品进行肉眼以及影像尺寸检测，并对合格品进行包装。