[发明专利]一种双基岛引线框架及其制备工艺

说明书

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种双基岛引线框架，包括板体，所述板体正面的上下侧开设有若干定位孔、工艺定位孔，所述板体上开设有若干均匀分布的框架单元，且框架单元上设置有相互独立的封装体，所述封装体上设置有相邻的第一基岛、第二基岛。该双基岛引线框架及其制备工艺，通过以精密冲压框架取代蚀刻框架，节能减排，在冲压时基本不会造成废水、废液排放，对环境几乎不会造成污染，此外采用冲压生产的方式，效率较高，可达到蚀刻生产的几十倍，能耗与人工成本大幅度减少，降低产品的价格，半导体生产企业的采购成本大为降低，提高了产品的竞争力。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种双基岛引线框架及其制备工艺。

背景技术

MOSFET金属氧化物半导体场效应管，它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件，它是以引线框架为载体，通过CLIP把芯片和框架连接在一起导通形成电气回路的一种功率半导体元器件，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管，MOSFET具有开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题等优点，已经被应用于新汽车、5G基站、工业照明电源、光伏逆变器、智能机器人、电动工具、无人机等工业领域以及电源、充电器等消费电子产品领域。

引线框架作为晶体管的重要组成部分，它的性能指标直接影响MOSFET的性能参数，最终影响终端设备运行的安全性能、节能效果、可靠性，耐用性等指标。现有技术中引线框架传统制作多采用三氯化铁蚀刻液腐蚀成型，在制造引线框架的过程中会产生大量废水和三氯化铁废液，对环境造成极其严重的污染，废液的处理复杂而且成本很高，同时采用蚀刻的方式对引线框架进行制备，单位时间内的制备效率较低，且能耗以及人工成本消耗较大，导致产品整体竞争力低下，为此我们提出一种双基岛引线框架及其制备工艺以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种双基岛引线框架及其制备工艺，解决了上述背景技术中提出的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种双基岛引线框架，包括板体，所述板体正面的上下侧开设有若干定位孔、工艺定位孔，所述板体上开设有若干均匀分布的框架单元，且框架单元上设置有相互独立的封装体，所述封装体上设置有相邻的第一基岛、第二基岛，所述封装体上开设有位于第一基岛、第二基岛一侧的右引线脚、左引线脚，所述第一基岛、第二基岛远离右引线脚、左引线脚的一端均设置有多个外引线，且第一基岛、第二基岛的对立侧均设置有工艺连筋，所述第一基岛、第二基岛的四周均开设有墩台，所述右引线脚、左引线脚上采用冲压的方式均设置有打沉部。

优选的，所述定位孔、工艺定位孔交错分布于板体正面的上下两侧，所述工艺定位孔的形状为腰型。

优选的，所述板体上开设有位于相邻框架单元之间的切筋工艺定位孔，且切筋工艺定位孔的长度值为板体总宽度值的五分之一至三分之一。

优选的，所述板体上开设有穿插于框架单元内部的浇道孔，且浇道孔的长度值为板体总宽度值的十五分之一至十分之一。

优选的，所述右引线脚的整体形状为“L”，所述左引线脚的整体为不规则形状，所述打沉部位于右引线脚或者左引线脚的头部。

优选的，所述打沉部的整体下沉深度为0.203±0.02mm。

优选的，所述板体整体厚度为0.254±0.008mm，所述板体整体采用194铜合金材料制备。

一种双基岛引线框架的制备工艺，包括以下步骤：

S1、产品图纸设计：主要包括模具设计以及清洗设备图纸设计；

模具设计：根据板体整体结构对冲压模具进行设计，着重于右引线脚、左引线脚上打沉部的打沉结构设计、减小冲裁圆角的设计、由于冲裁尺寸较小对保护间隙的设计，对整体平整度以及引脚一致性共面性的设计；