[发明专利]结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统在审

专利信息
申请号: 202310090773.2 申请日: 2023-02-09
公开(公告)号: CN116575119A 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 四户孝;安藤裕之;樋口安史;松田慎平;谷口和也;渡边弘纪;松木英夫 申请(专利权)人: 株式会社FLOSFIA;株式会社电装;未来瞻科技株式会社
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/78;C30B29/22;C30B29/20;C30B25/00;C23C16/44
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 辛雪花;周艳玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜,以相对于c面倾斜的面为主面,包含镓和元素周期表第9族金属,所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23%以下。
搜索关键词: 结晶 氧化物 层叠 结构 半导体 装置 系统
【主权项】:
暂无信息
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