[发明专利]结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统在审
申请号: | 202310090773.2 | 申请日: | 2023-02-09 |
公开(公告)号: | CN116575119A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 四户孝;安藤裕之;樋口安史;松田慎平;谷口和也;渡边弘纪;松木英夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社FLOSFIA;株式会社电装;未来瞻科技株式会社 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/78;C30B29/22;C30B29/20;C30B25/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 辛雪花;周艳玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜,以相对于c面倾斜的面为主面,包含镓和元素周期表第9族金属,所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23%以下。 | ||
搜索关键词: | 结晶 氧化物 层叠 结构 半导体 装置 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社FLOSFIA;株式会社电装;未来瞻科技株式会社,未经株式会社FLOSFIA;株式会社电装;未来瞻科技株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310090773.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板和电子设备
- 下一篇:自主神经系统的分析方法、装置和电子设备