[发明专利]结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统

权利要求书

1.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，

以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

2.根据权利要求1所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜具有刚玉结构。

3.根据权利要求1或2所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述主面为与c面正交的面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述主面为m面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述元素周期表第9族金属包含铱。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜的电阻率随着温度上升而减少。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述元素周期表第9族金属在所述结晶性氧化物膜中的原子比为10％以下。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜的膜厚为100nm以上。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜的表面粗糙度Ra为10nm以下。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜具有p型导电类型。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，

所述结晶性氧化物膜的带隙为5.0eV以上。

12.一种层叠结构体，其特征在于，

至少具备：第一结晶性氧化物膜，以选自铝、铟及镓中的一种或两种以上的金属的氧化物为主成分；以及第二结晶性氧化物膜，形成在该第一结晶性氧化物膜上，所述第一结晶性氧化物膜的主面为相对于c面倾斜的面，所述第二结晶性氧化物膜包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在所述第二结晶性氧化物膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

13.根据权利要求12所述的层叠结构体，其中，

所述第一结晶性氧化物膜具有刚玉结构。

14.一种半导体装置，其特征在于，至少具备：权利要求1至11中任一项所述的结晶性氧化物膜或者权利要求12或13所述的层叠结构体；以及电极。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置为功率器件。

16.一种半导体系统，具备半导体装置，所述半导体装置为权利要求14或15所述的半导体装置。