[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202310081373.5 | 申请日： | 2023-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116528584A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 赵成根;朴载星;金永锡;金永信;文大荣;李锦珠;郑盛旭;洪成德;黄水奂 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/528;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘林果;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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