[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域以及由单元元件隔离膜限定的有源区域。所述装置还包括在基底中限定单元区域的单元区域分离膜，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界。所述装置还包括：正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；虚设位线组，位于虚设单元区域上，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。

本申请要求于2022年1月28日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0012906号韩国专利申请的优先权及从其产生的全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器装置和/或一种用于制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种具有彼此交叉的多条布线及掩埋接触件的半导体存储器装置和/或一种用于制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

半导体装置具有越来越高的集成水平。因此，为了在相同区域中实现更多的半导体元件，独立的电路图案越来越小。换言之，随着半导体存储器装置的集成水平提高，用于半导体存储器装置的组件的设计规则正在减小。

在高度缩小的半导体装置中，形成多条布线和置于布线之间的多个掩埋接触件(BC)的工艺正在变得越来越复杂和困难。

发明内容

本发明构思的方面提供了一种可以具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置。

本发明构思的另一方面提供了一种用于制造可具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置的方法。

本发明构思的示例实施例不限于以上提及的方面。根据本发明构思的以上未提及的其他方面和优点可以通过下面的描述被理解，并且通过根据本发明构思的示例实施例被更清楚地理解。此外，将容易地领会的是，本发明构思的方面和优点可以通过如在权利要求中公开的特征及其组合来实现。

根据本发明构思的一方面，一种半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，其中，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域，其中，单元区域包括由单元元件隔离膜限定的有源区域；单元区域分离膜，在基底中限定单元区域，其中，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界；以及正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸。所述装置还包括：虚设位线组，位于虚设单元区域上，其中，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位，其中，虚设单元区域在第二方向上的宽度大于或等于50nm且小于或等于200nm，其中，正常位线在第二方向上具有第一宽度，其中，每条虚设位线在第二方向上的宽度与第一宽度的比率大于或等于1且小于或等于2。

根据本发明构思的另一方面，一种半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，其中，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域，其中，单元区域包括由单元元件隔离膜限定的有源区域；单元区域分离膜，在基底中限定单元区域，其中，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜形成边界；以及正常位线组，位于正常单元区域上。所述装置还包括：虚设位线组，位于虚设单元区域上，其中，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位。虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜形成边界，正常位线组包括在第一方向上延伸的多条正常位线，所述多条正常位线在第二方向上以位线节距彼此间隔开，虚设单元区域在第二方向上的宽度大于位线节距并且小于或等于位线节距的5倍，每条正常位线在第二方向上具有第一宽度，并且每条虚设位线在第二方向上的宽度与第一宽度的比率大于或等于1且小于或等于2。