[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，包括单元区域和由单元区域的外围部限定的外围区域，其中，单元区域包括虚设单元区域和正常单元区域，其中，单元区域包括由单元元件隔离膜限定的有源区域；

单元区域分离膜，在基底中限定单元区域，其中，虚设单元区域在正常单元区域与单元区域分离膜之间与单元区域分离膜限定边界；

正常位线，位于正常单元区域上并且在第一方向上延伸；

虚设位线组，位于虚设单元区域上，其中，虚设位线组包括在第一方向上延伸的多条虚设位线；以及

多个存储接触件，连接到有源区域并且沿着与第一方向垂直的第二方向定位，

其中，虚设单元区域在第二方向上的宽度大于或等于50nm且小于或等于200nm，

其中，正常位线在第二方向上具有第一宽度，并且

其中，每条虚设位线在第二方向上的宽度与第一宽度的比率大于或等于1且小于或等于2。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，虚设位线组包括在第二方向上最靠近外围区域的第一虚设位线以及位于第一虚设位线与正常位线之间的第二虚设位线，

其中，第一虚设位线在第二方向上具有第二宽度，

其中，第二虚设位线在第二方向上具有第三宽度，并且

其中，第二宽度大于或等于第三宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第二宽度和第三宽度中的每个等于第一宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第三宽度等于第一宽度，并且

其中，第二宽度与第三宽度的比率大于1且小于或等于2。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一宽度大于或等于5nm且小于或等于25nm。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述多条虚设位线中的至少一条虚设位线在第二方向上的宽度小于或等于30nm。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，每条虚设位线在第二方向上的宽度与第一宽度的比率大于或等于1且小于或等于1.7。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，每条虚设位线在第二方向上的宽度与第一宽度的比率大于或等于1且小于或等于1.5。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，包括在虚设位线组中的虚设位线的数量大于或等于2且小于或等于6。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个存储接触件包括第一存储接触件、第二存储接触件和第三存储接触件，

其中，第二存储接触件位于第一存储接触件与第三存储接触件之间，

其中，第一存储接触件和第二存储接触件中的每个在其中限定气隙，并且

其中，第三存储接触件不限定气隙。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括位于正常位线与基底之间的多个位线接触件，所述多个位线接触件沿着第一方向定位，

其中，所述多个位线接触件包括第一位线接触件、第二位线接触件和第三位线接触件，

其中，第二位线接触件位于第一位线接触件与第三位线接触件之间，

其中，气隙被限定在第一位线接触件与正常位线之间，并且气隙被限定在第三位线接触件与正常位线之间，

其中，气隙不被限定在第二位线接触件与正常位线之间。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括连接到每个存储接触件的信息存储元件，

其中，信息存储元件包括连接到存储垫的下电极、位于下电极上的电容器介电膜以及位于电容器介电膜上的板式上电极。