[发明专利]半导体结构、堆叠芯片及制作方法在审
| 申请号： | 202310074700.4 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116093021A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;徐丹;刘小平;刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 刘馨月 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种半导体结构、堆叠芯片及制作方法，半导体结构的制作方法包括：形成第一分体，第一分体包括导电柱；形成第二分体，第二分体包括衬底、贯穿衬底的第一通孔以及设置于衬底上的半导体器件；将导电柱与第一通孔插接，以将第一分体与第二分体连接。通过将第一分体上的导电柱与第二分体上的第一通孔插接实现第一分体和第二分体的连接，导电柱与半导体器件分属于不同的分体上进行制作，从而避免了相互间的干扰和影响，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 堆叠 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
