[发明专利]半导体结构、堆叠芯片及制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

形成第一分体，所述第一分体包括导电柱；

形成第二分体，所述第二分体包括衬底、贯穿所述衬底的第一通孔以及设置于所述衬底上的半导体器件；

将所述导电柱与所述第一通孔插接，以将所述第一分体与所述第二分体连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第二分体，包括：

于所述衬底上形成贯穿的所述第一通孔；

在形成所述第一通孔的所述衬底上形成所述半导体器件，得到所述第二分体。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第一分体，包括：

形成重布线层；

于所述重布线层上形成堆叠的隔离层和牺牲层；

于所述牺牲层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一预设图案，所述第一预设图案包括多个第一开口；

基于所述第一掩膜层，经各所述第一开口刻蚀所述隔离层和所述牺牲层，以形成贯穿所述隔离层和所述牺牲层的第二通孔；

于所述第二通孔内形成所述导电柱；

去除所述牺牲层。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述衬底上形成贯穿的所述第一通孔，包括：

于所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二预设图案，所述第二预设图案包括与所述多个第一开口一一对应设置的多个第二开口；

基于所述第二掩膜层，经各所述第二开口刻蚀所述衬底，以形成贯穿所述衬底的所述第一通孔。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二开口的面积大于对应的所述第一开口的面积。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，基于所述第二掩膜层，经各所述第二开口刻蚀所述衬底，包括：

采用深反应离子刻蚀工艺经各所述第二开口刻蚀所述衬底。

7.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度与所述衬底的厚度相同。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一通孔的所述衬底上形成所述半导体器件之前，形成第二分体还包括：

于所述第一通孔内形成填充结构；

在形成所述第一通孔的所述衬底上形成所述半导体器件之后，形成第二分体还包括：

去除所述填充结构。

9.一种堆叠芯片的制作方法，其特征在于，所述堆叠芯片的制作方法包括：

提供基础半导体芯片；

于所述基础半导体芯片上形成重布线层以及设置于所述重布线层上的导电柱，所述导电柱与所述重布线层连接；

形成待插半导体芯片，所述待插半导体芯片上设置有贯穿的第一通孔；

将所述导电柱与所述第一通孔插接，以将所述待插半导体芯片堆叠于所述基础半导体芯片上。

10.根据权利要求9所述的堆叠芯片的制作方法，其特征在于，形成待插半导体芯片，包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成贯穿的所述第一通孔；

在形成所述第一通孔的所述衬底上形成半导体器件，得到所述待插半导体芯片。

11.根据权利要求10所述的堆叠芯片的制作方法，其特征在于，所述堆叠芯片的制作方法还包括：

将完成堆叠的待插半导体芯片作为新的基础半导体芯片，继续进行待插半导体芯片的堆叠。

12.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

第一分体，所述第一分体包括导电柱；

第二分体，所述第二分体包括衬底、贯穿所述衬底的第一通孔以及设置于所述衬底上的半导体器件；

其中，所述导电柱与所述第一通孔插接，以将所述第一分体与所述第二分体连接。