[发明专利]一种静电保护器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310052603.5 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN116190375A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;赵德益;顾彦国;吕海凤;张啸;郝壮壮;胡亚莉;苏海伟 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种静电保护器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，器件包括：衬底、外延层、埋层、依次邻接的第一至第五阱区、至少两个轻掺杂注入区、重阱区、第一至第七注入区、介质层、金属层，第一阱区和第五阱区的底部与衬底、埋层同时接触；第二至第四阱区的底部与埋层接触。本发明所提供的静电保护器件具有较低的触发电压和击穿电压，更强的通流能力，较高的静电泄放能力、较高的稳定性和可靠性，且同时不会增加静电保护器件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海维安半导体有限公司，未经上海维安半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310052603.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
