[发明专利]一种静电保护器件及其制备方法

权利要求书

1.一种静电保护器件，提供一第一导电类型的衬底，以及位于所述衬底上的外延层，其特征在于，包括：

第二导电类型的埋层，形成于所述衬底的预定区域，且所述埋层向上扩散至所述外延层中；

至少五个阱区，依次邻接形成于所述外延层中，包括第一导电类型的第一阱区、第三阱区以及第五阱区，所述第一阱区和所述第五阱区的底部与所述衬底的上表面、所述外延层中的所述埋层同时相接触；第二导电类型的第二阱区和第四阱区，所述第二阱区、所述第三阱区以及所述第四阱区的底部与所述埋层相接触；

至少两个第二导电类型的轻掺杂注入区，形成于所述第三阱区内，包括第一轻掺杂注入区和第二轻掺杂注入区；

第一导电类型的重阱区，形成于所述第一轻掺杂注入区和所述第二轻掺杂注入区之间；

多个重掺杂注入区，包括第二导电类型的第一至第五注入区，第一注入区形成于所述第二阱区内，第二注入区形成于所述第一轻掺杂注入区内，第三注入区形成于所述重阱区内，第四注入区形成于所述第二轻掺杂注入区内，第五注入区形成于所述第四阱区内；第一导电类型的第六注入区和第七注入区，形成于所述第三阱区内；

介质层，形成于所述外延层的上方，所述介质层中设有对应第一至第七注入区的接触孔；

金属层，包括第一接地端金属层，分别连接所述第一注入区、所述第六注入区、所述第二注入区；IO端金属层，连接所述第三注入区；第二接地端金属层，分别连接所述第四注入区、所述第七注入区、所述第五注入区。

2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述第一阱区的上方和所述第二阱区的左侧边缘设有第一场氧化层；第二至第七场氧化层分别依次设置于相邻的两个所述重掺杂注入区之间；所述第四阱区的右侧边缘和所述第五阱区的上方设有第八场氧化层。

3.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述外延层的电阻率大于10Ω*cm，厚度为3～10μm；

所述外延层为第一导电类型或第二导电类型；

当第一导电类型为N型时，第二导电类型为P型；以及

当第一导电类型为P型时，第二导电类型为N型。

4.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述重阱区至所述第一轻掺杂注入区、所述第二轻掺杂注入区的距离相同。