[发明专利]一种图像传感器及其制作方法有效
申请号: | 202310042320.2 | 申请日: | 2023-01-28 |
公开(公告)号: | CN116053288B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 陈维邦 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体制造技术领域。所述图像传感器至少包括:衬底,具有相对的第一表面和第二表面;光电感应区,设置在所述衬底中;格栅,设置在所述衬底的第一表面上,所述格栅具有相对的顶面和底面,所述底面位于靠近所述衬底的一侧,且所述顶面的径向尺寸大于所述底面的径向尺寸;凹部,设置在所述格栅的侧壁上;彩色滤光结构,设置在所述第一表面上,所述彩色滤光结构位于所述光电感应区上,且设置在相邻的所述格栅之间;以及微透镜结构,设置在所述彩色滤光结构上。通过本发明提供的一种图像传感器,可提高图像传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的