[发明专利]一种图像传感器及其制作方法有效
申请号: | 202310042320.2 | 申请日: | 2023-01-28 |
公开(公告)号: | CN116053288B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 陈维邦 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,至少包括:
衬底,具有相对的第一表面和第二表面;
光电感应区,设置在所述衬底中;
格栅,设置在所述衬底的第一表面上,所述格栅具有相对的顶面和底面,所述底面位于靠近所述衬底的一侧,且所述顶面的径向尺寸大于所述底面的径向尺寸;
凹部,设置在所述格栅的侧壁上;
彩色滤光结构,设置在所述第一表面上,所述彩色滤光结构位于所述光电感应区上,且设置在相邻的所述格栅之间;以及
微透镜结构,设置在所述彩色滤光结构上;
其中,将所述格栅顶面的径向尺寸定义为第一宽度,所述格栅底面的径向尺寸定义为第二宽度,则所述第一宽度大于所述第二宽度,所述格栅最小的径向尺寸定义为第三宽度,则所述第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述光电感应区与所述第一表面接触,且与所述第二表面具有预设距离。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在所述凹部处,所述格栅具有最小的径向尺寸。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述格栅的侧壁上设置两个或多个凹部,且随着所述格栅深度的增加,所述凹部的深度逐渐增加。
5.一种图像传感器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底,所述衬底具有相对的第一表面和第二表面;
在所述衬底中形成光电感应区;
在所述衬底的第一表面形成多个格栅,且所述格栅具有相对的顶面和底面,所述底面位于靠近所述衬底的一侧,所述顶面的径向尺寸大于所述底面的径向尺寸,且所述格栅的侧壁上设置有凹部;
在所述第一表面上形成彩色滤光结构,所述彩色滤光结构位于所述光电感应区上,且位于相邻的所述格栅之间;以及
在所述彩色滤光结构上形成微透镜结构;
其中,将所述格栅顶面的径向尺寸定义为第一宽度,所述格栅底面的径向尺寸定义为第二宽度,则所述第一宽度大于所述第二宽度,所述格栅最小的径向尺寸定义为第三宽度,则所述第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度。
6.根据权利要求5所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成多个格栅包括以下步骤:
在所述衬底上形成材料层;
蚀刻所述材料层,在所述材料层上形成多个第一开口,所述第一开口在所述衬底上的正投影覆盖所述光电感应区的中心区域,且所述第一开口的深度小于所述材料层的厚度。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成多个格栅包括以下步骤:
蚀刻所述第一开口底部的所述材料层,形成第二开口,随着所述第二开口深度的增加,所述第二开口的径向尺寸先逐渐增加,再逐渐减小。
8.根据权利要求7所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,在形成第二开口时,采用四甲基氢氧化铵湿法蚀刻所述第一开口底部的所述材料层。
9.根据权利要求7所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成多个格栅包括以下步骤:
蚀刻所述第二开口底部和侧壁的所述材料层,形成第三开口,所述第三开口的底部与所述衬底接触。
10.根据权利要求9所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成多个格栅包括以下步骤:
在形成所述第三开口后,蚀刻所述第三开口的侧壁,形成格栅,且所述格栅呈收缩状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的