[发明专利]一种半导体器件图形化的方法有效
| 申请号： | 202310042316.6 | 申请日： | 2023-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN116053116B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李海峰;张祥平;林士程;古哲安;徐伟强 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体器件图形化的方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层包含羟基；显影所述第二光刻胶层，形成第二图案化光刻胶层；采用固化剂对所述第二图案化光刻胶层进行固化，所述固化剂包含胺基；以固化后的所述第二图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一光刻胶层，形成第一图案化光刻胶层。通过本发明提出一种半导体器件图形化的方法，能够在半导体器件上获得高分辨率的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 图形 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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