[实用新型]半导体工艺腔有效
| 申请号： | 202223505118.9 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN219032356U | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 钟晓兰 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/44;C23F1/02;C23F1/08;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 吴浩 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体工艺腔，包括：腔室、喷淋板、挡板模组和底座；所述腔室用于容纳所述喷淋板、所述挡板模组和所述底座；所述底座用于承载晶圆；所述喷淋板与反应气体源连通，用于向所述晶圆喷淋反应气体；所述挡板模组设于所述喷淋板与所述晶圆之间，用于阻挡反应气体流向所述晶圆的保护区域。该工艺腔用于在晶圆表面保护区域外沉积膜层或刻蚀膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
