[实用新型]半导体蚀刻设备有效

专利信息
申请号: 202223278542.4 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN219085940U 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 彭金石;刘娟 申请(专利权)人: 上海博陆电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 北京汇智一堂知识产权代理事务所(普通合伙) 11982 代理人: 王君昌
地址: 200120 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及半导体加工领域,具体公开了半导体蚀刻设备,包括:底座;蚀液箱组件,所述蚀液箱组件与底座相连,用于蚀刻液的储存;联动夹持组件,所述联动夹持组件与蚀液箱组件相连;吹扫装置,所述吹扫装置与蚀液箱组件相连;其中,所述吹扫装置包括:鼓风装置,所述鼓风装置与蚀液箱组件相连,用于半导体板件的鼓风清液;增压传动组件,所述增压传动组件与蚀液箱组件相连,本装置蚀液箱组件可实现半导体的动态蚀刻,提高了蚀刻质量,同时,当半导体顶移完成后,鼓风装置与增压传动组件配合,可实现半导体的稳定鼓风清液,快速将半导体表面残留的蚀刻液快速去除。
搜索关键词: 半导体 蚀刻 设备
【主权项】:
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