[实用新型]半导体蚀刻设备有效
申请号: | 202223278542.4 | 申请日: | 2022-12-07 |
公开(公告)号: | CN219085940U | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 彭金石;刘娟 | 申请(专利权)人: | 上海博陆电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京汇智一堂知识产权代理事务所(普通合伙) 11982 | 代理人: | 王君昌 |
地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体加工领域,具体公开了半导体蚀刻设备,包括:底座;蚀液箱组件,所述蚀液箱组件与底座相连,用于蚀刻液的储存;联动夹持组件,所述联动夹持组件与蚀液箱组件相连;吹扫装置,所述吹扫装置与蚀液箱组件相连;其中,所述吹扫装置包括:鼓风装置,所述鼓风装置与蚀液箱组件相连,用于半导体板件的鼓风清液;增压传动组件,所述增压传动组件与蚀液箱组件相连,本装置蚀液箱组件可实现半导体的动态蚀刻,提高了蚀刻质量,同时,当半导体顶移完成后,鼓风装置与增压传动组件配合,可实现半导体的稳定鼓风清液,快速将半导体表面残留的蚀刻液快速去除。 | ||
搜索关键词: | 半导体 蚀刻 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造