[实用新型]半导体蚀刻设备有效

专利信息
申请号: 202223278542.4 申请日: 2022-12-07
公开(公告)号: CN219085940U 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 彭金石;刘娟 申请(专利权)人: 上海博陆电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 北京汇智一堂知识产权代理事务所(普通合伙) 11982 代理人: 王君昌
地址: 200120 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 蚀刻 设备
【说明书】:

实用新型涉及半导体加工领域,具体公开了半导体蚀刻设备,包括:底座;蚀液箱组件,所述蚀液箱组件与底座相连,用于蚀刻液的储存;联动夹持组件,所述联动夹持组件与蚀液箱组件相连;吹扫装置,所述吹扫装置与蚀液箱组件相连;其中,所述吹扫装置包括:鼓风装置,所述鼓风装置与蚀液箱组件相连,用于半导体板件的鼓风清液;增压传动组件,所述增压传动组件与蚀液箱组件相连,本装置蚀液箱组件可实现半导体的动态蚀刻,提高了蚀刻质量,同时,当半导体顶移完成后,鼓风装置与增压传动组件配合,可实现半导体的稳定鼓风清液,快速将半导体表面残留的蚀刻液快速去除。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工行业,具体是半导体蚀刻设备。

背景技术

蚀刻是将金属材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质,保证其洁净纯度。

目前采用湿法蚀刻时,蚀刻完成后的半导体表面残留一定量蚀刻液,现有设备无法快速将半导体表面残留的蚀刻液快速去除,易对下一生产环节产生影响,因此,为解决这一问题,亟需研制一种更为成熟的半导体蚀刻设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供半导体蚀刻设备,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

半导体蚀刻设备,包括:

底座;

蚀液箱组件,所述蚀液箱组件与底座相连,用于蚀刻液的储存;

联动夹持组件,所述联动夹持组件与蚀液箱组件相连,用于半导体板件的夹持限位;

吹扫装置,所述吹扫装置与蚀液箱组件相连;

其中,所述吹扫装置包括:

鼓风装置,所述鼓风装置与蚀液箱组件相连,用于半导体板件的鼓风清液;

增压传动组件,所述增压传动组件与蚀液箱组件相连,用于配合鼓风装置,完成联动夹持组件的移动驱动。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本装置设计合理,蚀液箱组件可实现半导体的动态蚀刻,提高了蚀刻质量,同时,当半导体顶移完成后,鼓风装置与增压传动组件配合,可实现半导体的稳定鼓风清液,快速将半导体表面残留的蚀刻液快速去除,具有较高的实用性和市场前景。

附图说明

图1为本实用新型实施例中半导体蚀刻设备的内部结构示意图。

图2为本实用新型实施例中半导体蚀刻设备中蚀液箱的内部俯视图。

图3为本实用新型实施例中半导体蚀刻设备中夹持架的结构示意图。

图中:1-底座,2-蚀液箱组件,3-联动夹持组件,4-吹扫装置,5-鼓风装置,6-增压传动组件,201-蚀液箱,202-限位架,203-限位槽,204-固定轴架,205-顶移板,206-驱动件,301-滑槽,302-第一弹性件,303-夹持架,304-凸架,501-连接架,502-风仓,503-鼓风件,504-排气槽,601-增压仓,602-第一控制件,603-第二控制件,604-第二弹性件,605-传动架。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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