[实用新型]用于制备碳化硅晶体的坩埚及长晶炉有效
| 申请号： | 202222965071.8 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN218666413U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张凯;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 刁益帆 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本披露公开了一种用于制备碳化硅晶体的坩埚及长晶炉。该坩埚包括：双层坩埚，其包括内层坩埚和外层坩埚；外层坩埚上设有用于放置重结晶件的承载台；重结晶件，其放置在承载台上；碳毡，包裹在外层坩埚和重结晶件的外侧；其中，重结晶件处的碳毡厚度小于外层坩埚处的碳毡厚度。本披露公开的坩埚由于包裹在重结晶件外侧的碳毡厚度小于包裹在外层坩埚外侧的碳毡厚度，因而，重结晶件处的温度相对于其他处的温度更低，能够令长晶过程中从内层坩埚内溢出的富硅气氛集中在重结晶件处结晶，有效避免了溢出的富硅气氛到达碳毡处对碳毡造成腐蚀，进而保证了碳毡的保温性能和坩埚内的温场稳定，保障形成的碳化硅晶体形貌均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 碳化硅 晶体 坩埚 长晶炉 | ||
【主权项】：
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