[实用新型]一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置有效
申请号: | 202222764182.2 | 申请日: | 2022-10-20 |
公开(公告)号: | CN218372513U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/32;B01F27/55;B01F23/10 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种碳化硅化学气相沉积设备气体混合装置,具体涉及碳化硅领域,包括反应罐、进气管和排气管,进气管连通设在反应罐的一端,排气管连通设在反应罐远离进气管的一端,进气管的内壁固定连接有支撑件,支撑件的内壁通过轴承连接有传动转杆,传动转杆的一端固定连接有旋转扇叶,旋转扇叶呈倾斜状设置,传动转杆的外壁固定连接有第一活动环,第一活动环的外壁固定连接有搅拌杆。本实用新型通过设置了搅拌杆和摩擦板,气体通过进气管进入反应罐时,气体会冲击旋转扇叶带动传动转杆转动,最终使搅拌杆和摩擦板进行转动,解决了传统的气体混合装置无法有效的将多股气体混合碳化硅生产速度较慢的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 化学 沉积 设备 气体 混合 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的