[实用新型]一种评估M0A金属层工艺对EPI影响的测试结构有效

专利信息
申请号: 202222643144.1 申请日: 2022-10-09
公开(公告)号: CN218568836U 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 张璐;张飞虎 申请(专利权)人: 杭州广立微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 江苏坤象律师事务所 32393 代理人: 赵新民
地址: 310012 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种评估M0A金属层工艺对EPI影响的测试结构,包括若干测试单元;所述测试单元包括:有源区、第一连接部、第二连接部、第三连接部和设置在所述有源区上的M0A金属层;所述有源区包括Fin结构及EPI结构;所述第一连接部至少有两个,分别设置在所述有源区延伸方向上的两端,所述M0A金属层包括在两端的所述第一连接部之间沿所述有源区延伸方向排列的若干目标金属线;所述第一连接部通过所述第二连接部与所述第三连接部电连接,由所述第三连接部连出。其结构简单,易于制造,广泛适用于集成电路制造过程中评估M0A金属层工艺对EPI的影响,能够有效实现对EPI性能的监控,利于提高器件性能水平与产品良率。
搜索关键词: 一种 评估 m0a 金属 工艺 epi 影响 测试 结构
【主权项】:
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