[实用新型]一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS有效
| 申请号: | 202222449445.0 | 申请日: | 2022-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN218602432U | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
| 发明(设计)人: | 张填炀;夏一枫 | 申请(专利权)人: | 杭州昱芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L29/861 |
| 代理公司: | 无锡嘉驰知识产权代理事务所(普通合伙) 32388 | 代理人: | 张西宁 |
| 地址: | 311231 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本实用新型提供了一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS,所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS,包括一个纵向设置的PNPN结构,PNPN结构的左右两侧各并联一个降容二极管D1,PNPN结构的左右两侧各并联一个反向击穿二极管D2,位于同侧的一个降容二极管D1和一个反向击穿二极管D2之间设置有一个I/O口,两个I/O口水平排列。本实用新型具有骤回、超低残压、超低电容的特性,可以很好的应用于高速数据端口,高频线路的保护;结构均为垂直结构,大大节省了器件面积;两个I/O口水平排列,便于封装并且可以集成于电路中;且两个降容二极管不易发生穿通。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 scr 特性 超低容 单向 tvs | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





