[实用新型]一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS

说明书

本实用新型提供了一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，包括一个纵向设置的PNPN结构，PNPN结构的左右两侧各并联一个降容二极管D1，PNPN结构的左右两侧各并联一个反向击穿二极管D2，位于同侧的一个降容二极管D1和一个反向击穿二极管D2之间设置有一个I/O口，两个I/O口水平排列。本实用新型具有骤回、超低残压、超低电容的特性，可以很好的应用于高速数据端口，高频线路的保护；结构均为垂直结构，大大节省了器件面积；两个I/O口水平排列，便于封装并且可以集成于电路中；且两个降容二极管不易发生穿通。

技术领域

本实用新型涉及半导体保护器件技术领域，尤其涉及一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS。

背景技术

现有的TVS结构多为横向结构，面积比较大，并且大多数不具有SCR结构，无法对低工作电压的器件进行很好的保护；且大多数不具备超低容结构，无法应用于高速数据传输端口。而且由于工艺制成的缩短，芯片的静电承受能力越来越弱，对静电防护的要求也越来越高，传统的普容无骤回的ESD器件已经无法实现更好的保护。

实用新型内容

针对上述的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种具有SCR骤回特性的超低电容单向的TVS，具有骤回、超低残压、超低电容的特性，可以很好的应用于高速数据端口，高频线路的保护；结构均为垂直结构，大大节省了器件面积；两个I/O口水平排列，便于封装并且可以集成于电路中；且两个降容二极管不易发生穿通。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS包括一个纵向设置的PNPN结构，所述PNPN结构的左右两侧各并联一个降容二极管D1，所述PNPN结构的左右两侧各并联一个反向击穿二极管D2，位于同侧的一个降容二极管D1和一个反向击穿二极管D2之间设置有一个I/O口，两个I/O口水平排列。

优选的，所述PNPN结构包括N型硅衬底、第一P型外延EPI、第二N型埋层BN、第二P型外延EPI和P+区域SP；

所述降容二极管D1包括P+区域SP、P型源区P-well、N+区域SN；

所述反向二极管D2包括N型硅衬底、第一P型外延EPI、第二P型外延EPI、P+区域SP；

两个降容二极管D1并联在PNPN结构上靠近顶部位置处，两个反向二极管D2并联在PNPN结构上靠近底部位置处。

进一步地，所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS包括N型硅衬底，N型硅衬底上设置有第一P型外延EPI，N型硅衬底和第一P型外延EPI之间设置有两个间隔排布的第一N型埋层BN；

第一P型外延EPI上设置有第二P型外延EPI，第一P型外延EPI和第二P型外延EPI之间设置有第二N型埋层BN；

第二P型外延EPI的顶部对称设置有两个P型源区P-well，两个P型源区P-well内嵌设置在第二P型外延EPI的上表面；每个P型源区P-well均内嵌设置有一个N+区域SN和一个P+区域SP，其中，N+区域SN靠近中间位置处；第二P型外延EPI的顶部且位于中间位置处设置有一P+区域SP，第二P型外延EPI的顶部且位于两个P型源区P-well的外侧位置处均设置有一P+区域SP；

相邻的P+区域SP与P型源区P-well之间均设置有一深沟槽。

进一步地，每个深沟槽均贯穿第二P型外延EPI第一P型外延EPI且延伸至N型硅衬底上。

进一步地，每个深沟槽的底部延伸至N型硅衬底的中部或者上部。

进一步地，每个深沟槽的深度为13-18um，宽度为1um-1.5um。