[实用新型]一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS

权利要求书

1.一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，包括一个纵向设置的PNPN结构，所述PNPN结构的左右两侧各并联一个降容二极管D1，所述PNPN结构的左右两侧各并联一个反向击穿二极管D2，位于同侧的一个降容二极管D1和一个反向击穿二极管D2之间设置有一个I/O口，两个I/O口水平排列。

2.根据权利要求1所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，所述PNPN结构包括N型硅衬底(1)、第一P型外延EPI(3)、第二N型埋层BN(4)、第二P型外延EPI(5)和P+区域SP(8)；

所述降容二极管D1包括P+区域SP(8)、P型源区P-well(6)、N+区域SN(7)；

所述反向击穿二极管D2包括N型硅衬底(1)、第一P型外延EPI(3)、第二P型外延EPI(5)、P+区域SP(8)；

两个降容二极管D1并联在PNPN结构上靠近顶部位置处，两个反向击穿二极管D2并联在PNPN结构上靠近底部位置处。

3.根据权利要求1所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，所述具有SCR骤回特性的超低容单向TVS包括N型硅衬底(1)，N型硅衬底(1)上设置有第一P型外延EPI(3)，N型硅衬底(1)和第一P型外延EPI(3)之间设置有两个间隔排布的第一N型埋层BN(2)；

第一P型外延EPI(3)上设置有第二P型外延EPI(5)，第一P型外延EPI(3)和第二P型外延EPI(5)之间设置有第二N型埋层BN(4)；

第二P型外延EPI(5)的顶部对称设置有两个P型源区P-well(6)，两个P型源区P-well(6)内嵌设置在第二P型外延EPI(5)的上表面；每个P型源区P-well(6)上均内嵌设置有一个N+区域SN(7)和一个P+区域SP(8)，其中，N+区域SN(7)靠近中间位置处；第二P型外延EPI(5)的顶部且位于中间位置处设置有一P+区域SP(8)，第二P型外延EPI(5)的顶部且位于两个P型源区P-well(6)的外侧位置处均设置有一P+区域SP(8)；

相邻的P+区域SP(8)与P型源区P-well(6)之间均设置有一深沟槽(9)。

4.根据权利要求3所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，每个深沟槽(9)均贯穿第二P型外延EPI(5)、第一P型外延EPI(3)且延伸至N型硅衬底(1)上。

5.根据权利要求4所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，每个深沟槽(9)的底部延伸至N型硅衬底(1)的中部或者上部。

6.根据权利要求3所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，每个深沟槽(9)的深度为13-18um，宽度为1um-1.5um。

7.根据权利要求3所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，第二P型外延EPI(5)的顶部设置TEOS层(10)，在TEOS层(10)上且与P+区域SP(8)的对应处设置有通孔(12)，在每个通过通孔(12)上均设置有金属层(11)。

8.根据权利要求7所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，TEOS层(10)的厚度为0.5～1um；金属层(11)的厚度为2.8～5um。

9.根据权利要求8所述的一种具有SCR骤回特性的超低容单向TVS，其特征在于，金属层(11)为Al、Si、Cu三种金属的合金。