[实用新型]一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，包括设置在生长炉内的保温壳，保温壳内设置有生长坩埚、坩埚盖和板型电阻加热器，生长坩埚通过螺钉固定安装在坩埚盖的底部，所述坩埚盖的顶部固定安装有竖轴，保温壳的顶部固定安装有隔离罩。本实用新型设计合理，实用性好，能够控制生长坩埚水平转动，能够使得生长坩埚内碳化硅单晶的生长温度更为均匀，并且能够根据碳化硅单晶生长的速度，对生长坩埚的高度位置进行调节，可保证生长坩埚内碳化硅单晶生长点的高度保持不变，进而有利于碳化硅单晶生长缺陷的抑制，能够制得大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶，提高了碳化硅单晶的生产质量。