[实用新型]一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，包括设置在生长炉内的保温壳(1)，所述保温壳(1)内设置有生长坩埚(2)、坩埚盖(3)和板型电阻加热器(4)，所述生长坩埚(2)通过螺钉固定安装在所述坩埚盖(3)的底部，其特征在于：所述坩埚盖(3)的顶部固定安装有竖轴(5)，所述保温壳(1)的顶部固定安装有隔离罩(6)，所述保温壳(1)的顶部内壁上开设有竖孔(7)，所述竖孔(7)与所述隔离罩(6)内部相连通，所述竖轴(5)的顶端贯穿所述竖孔(7)，所述竖轴(5)的顶端开设有滑槽(8)，所述滑槽(8)内滑动安装有滑杆(9)，所述隔离罩(6)的顶部内壁上固定安装有轴座(10)，所述滑杆(9)的顶端延伸至滑槽(8)外并与所述轴座(10)的底部转动连接，所述隔离罩(6)内设置有提升组件和驱动组件。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述提升组件包括圆盘(11)、两个滑块(13)和两个电动推杆(14)，所述圆盘(11)固定套设在所述竖轴(5)上并位于隔离罩(6)内，所述圆盘(11)的底部开设有环形滑槽(12)，两个所述滑块(13)均滑动安装在所述环形滑槽(12)内并呈对称设置，两个所述滑块(13)的底部均延伸至所述环形滑槽(12)外，两个所述电动推杆(14)均固定安装在所述保温壳(1)的顶部，两个所述电动推杆(14)对称设置在所述竖轴(5)的两侧，两个所述电动推杆(14)的输出轴端分别与相对应所述滑块(13)的底部固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述驱动组件包括电机(15)、主齿轮(16)和副齿轮(17)，所述电机(15)通过支架固定安装在所述隔离罩(6)的顶部内壁上，所述主齿轮(16)固定安装在所述电机(15)的输出轴端，所述副齿轮(17)固定套设在所述滑杆(9)上，所述主齿轮(16)与所述副齿轮(17)相啮合。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述滑槽(8)的两侧内壁上均开设有限位槽，所述滑杆(9)的两侧均固定安装有限位杆，两个所述限位杆分别滑动安装在相对应的所述限位槽内。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述竖孔(7)的内壁上固定安装有密封圈，所述密封圈的内圈与所述竖轴(5)的外壁滑动密封接触。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸、低缺陷密度的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述保温壳(1)的前侧内壁上开设有取放口，所述保温壳(1)的前侧外壁上通过螺钉固定安装有密封盖板(18)，所述密封盖板(18)与所述取放口相适配。