[实用新型]一种复合衬底及半导体结构有效
| 申请号： | 202222031569.7 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN219017637U | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 秦卫中 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种复合衬底以及由该复合衬底制备而成的半导体结构，复合衬底包括层叠设置的第一半导体层及第二半导体层，第一半导体层靠近第二半导体层的表面设有至少一个散热凹槽，第一半导体层的侧壁或第一半导体层远离第二半导体层的表面设有散热通道，散热通道与散热凹槽连通；本实用新型提供的复合衬底及半导体结构通过内外相通的散热通道和散热凹槽可有效解决大功率氮化镓基器件的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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