[实用新型]掩膜版、阵列基板及显示面板有效

申请号：	202221950910.2	申请日：	2022-07-26
公开（公告）号：	CN218099922U	公开（公告）日：	2022-12-20
发明（设计）人：	蔡昌宇;乔传兴;赵约瑟;王凯;袁进	申请（专利权）人：	深圳莱宝高科技股份有限公司
主分类号：	G03F1/44	分类号：	G03F1/44;G03F1/40
代理公司：	深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414	代理人：	谢蓓
地址：	518000 广东省深圳***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本申请涉及显示屏技术领域，公开了一种掩膜版、阵列基板及显示面板。所述掩膜版上设有测试线路及平衡线路，测试线路包括主线路及连接于主线路上的多组支线路，支线路包括输入线路及输出线路，输入线路一端连接于主线路，输出线路的一端与输入线路远离主线路的一端相对且交错设置；平衡线路连通多组支线路的输入线路与输出线路并且用于平衡多条输入线路与多条输出线路之间的电荷，平衡线路的线宽小于曝光机的曝光精度。本申请提供的掩膜版、阵列基板及显示面板，用于解决相关产品制作及使用过程中因静电积累而容易引起静电击伤的技术问题。
搜索关键词：	掩膜版阵列显示面板
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摘要：本发明公开了一种光罩及图像校准方法，属于半导体技术领域，光罩包括：非曝光区内设置有一标记图案，标记图案包括亮场图案和暗场图案，亮场图案和暗场图案分别包括多个具有不同关键尺寸的标准图形，且标准图形中的最小关键尺寸小于曝光区中图形的最小关键尺寸；方法包括：光罩缺陷检查台通过扫描标记图案进行图像校准；上述技术方案有益效果是：保证图像校准的准确性和精确性的同时缩短了缺陷扫描程式的建立时间，提高了光罩缺陷检查台的工作效率。

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标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法-202011546602.9
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摘要：本申请提供一种标尺、光罩及判断阵列基板边缘曝光是否合规的方法，标尺包括基准刻度线、参照刻度线、第一识别图案以及第二识别图案，第一识别图案位于基准刻度线的一侧，第二识别图案位于参照刻度线的一侧，第一识别图案和第二识别图案相对于基准刻度线和参照刻度线位于相同侧，并将该标尺应用于光罩的挡板处以及阵列基板的边缘曝光区域，通过测试识别装置识别读取第一识别图案和第二识别图案，来判断挡板的透光区或阵列基板的边缘曝光区域的曝光情况是否合规，从而减少人工误读，实现阵列基板的边缘曝光区域的洗边精度和挡板精度的实时监控，提升产品工艺生产周期。

一种掩模版监测图形的布置方法-202310313090.9
发明人：尤春;杨长华;刘维维;汪志得;莫金圻 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F1/44
摘要：一种掩模版监测图形的布置方法，在掩膜版的四角设置包括7个模块的预定图形，第一模块包括分别在clear区和dark区放置的若干组十字形图形；第二模块包括设置在clear区的不同线条宽度的横竖线条组，同一线条宽度的横竖线条组的线条间距梯次配置；第三模块包括设置在dark区的不同线条宽度的横竖线条组，同一线条宽度的横竖线条组中线条间距梯次配置；第四模块包括横线条组和竖线条组，组内线条宽度逐级递增，且线条间距相等；第五模块为回字形图形，其内部为正方形，外部是正方形环；第六模块为分布在clear区和dark区的不同尺寸的方孔；第七模块为一组呈阶梯形排布的正方形。本发明可以缩减寻找掩模版测量点的时间，从而在降低人员工作量的同时大幅提高机台产能。

掩膜版、检测遮光板移动精度的方法-202310470712.9
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摘要：本发明提供一种掩膜版、检测遮光板移动精度的方法，提供带有特定图形的掩膜版，利用掩膜版对基片进行刻蚀形成标准片；移动两个第一遮光件和两个第二遮光件靠近中心区域，以分别对相应检测图形区域的部分进行遮挡；沿第一方向移动掩膜版，并利用掩膜版对标准片进行曝光，以得到测试片；以及根据测试片上每个套刻图形组中出现的曝光图形的图形单元的数量，判断相应遮光板的移动精度，可有效避免现有技术中的人为目检的主观判断因素，实现实时有效监控光刻机遮光板的移动精度，确保产品品质的稳定安全，且规避停机手动操作，保证生产的连续性。

光罩检测标识位置设置方法及带有具有检测标识的光罩-202310274709.X
发明人：张秀璇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本公开是关于一种光罩检测标识位置设置方法及带有具有检测标识的光罩，所述光罩检测标识位置设置方法包括：提供多个光罩；于所述光罩上划分图案区和非图案区；选择一光罩的非图案区与其他另一光罩的非图案区重叠的区域为标记区，于所述标记区设置检测标识。本公开通过将芯片区按照光罩层别划出用于透光的图案区，在图案区外的其他区域设置检测标识，无需增加芯片区面积即可使检测标识靠近图案区，不损失裸片数量；同时选择将检测标识设置于非图案区重叠的区域，能够达到对不同光罩间相对位置进行检测的目的，进一步提高检测有效性。

便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模-202211623777.4
发明人：田正洲;葛海鸣;包忍 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本申请提供一种便捷测量光掩模上光罩护膜蒙贴位移量的方法及光掩模，涉及光掩模的技术领域，其步骤如下：在光掩模表面设置标尺，标尺以光掩模表面设置的定位线为基准，标尺每格度数的量级为微米级；蒙贴光罩护膜于光掩模的表面；通过显微镜观测光罩护膜的边沿在标尺上的读数，得出光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量。通过设置标尺，利用光掩模上预先设置的标尺，对光罩护膜于光掩模表面蒙贴的位移量进行测量，只要借助显微镜辅助即可，无需使用标注差量测基台，降低了检测光罩护膜蒙贴位移量所需成本，进而降低了光掩模的整体成本。

掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法-201911051616.0
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申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本申请公开了一种掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一片涂有光刻胶的晶圆和一包括条宽测试图形和全遮光图形的掩膜版；利用掩膜版进行第一次曝光；平移掩膜版，令晶圆表面的部分条宽测试图形被掩膜版上的全遮光图形完全覆盖；进行第二次曝光并显影，显影后的晶圆表面包括重复曝光条宽测试图形和初始曝光条宽测试图形；获取重复曝光条宽测试图形的条宽和初始曝光条宽测试图形的条宽，确定出光刻机的漏光程度；解决了现有检测方法无法既快速又准确地得到光刻机漏光程度的问题；达到了快速准确地测定光刻机漏光程度的效果。

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发明人：李乾坤;曹河铉;申仁均;金星润;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;郑珉交;金泰完 -专利权人： SKC索密思株式会社
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摘要：本发明涉及空白掩模、光掩模及半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括过渡金属、氧和氮中的至少一种。当用波长为193nm的光测量十次遮光膜的光密度时，测得的光密度值的标准偏差小于等于0.009。从测得的光密度值中的最大值减去最小值所得的值小于0.03。遮光膜表面的Rsk值大于等于‑2且小于等于0.1。在这种情况下，可以对空白掩模的遮光膜进行准确度得到提升的光学特性测量和缺陷检测。

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摘要：本申请提供一种掩模吸收层厚度优化方法、装置、电子设备及存储介质。方法包括：利用仿真软件构建多层膜超透镜结构的仿真模型；获取第一掩模参数，第一掩模参数包括掩模侧壁角和初始掩模吸收层厚度；根据第一掩模参数，生成多组第二掩模参数；所述多组第二掩模参数包括相同的掩模侧壁角和不同的掩模吸收层厚度；基于所述仿真模型进行仿真计算，得到每组第二掩模参数对应的成像对比度；根据成像对比度，从所述多组第二掩模参数中选取所述掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度，从而根据成像对比度找到同一掩模侧壁角对应的最优掩模吸收层厚度。从而，通过对多层膜超透镜中的掩模吸收层厚度进行优化，提高了多层膜超透镜的成像对比度和分辨力。

掩模板及光刻机的标定方法-202111164097.6
发明人：王博;张家锦 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种掩模板及光刻机的标定方法。其中，掩模板上的测量标记包括第一图形和第二图形，第一图形和第二图形具有一公共点，且均设置有刻度图形。在标定过程中，以标准光刻机为参照，分别在标准光刻机和待标定光刻机上曝光出测量标记，直接读取公共点的偏差并修正参数，实现对视场中心的标定；通过直接读取和计算，能得到曝光视场尺寸的误差及上片误差。其中，通过测量标记不仅可以获得二自由度的位置偏差，还能获得旋转偏差，提高上片误差的测量精度。此外，还可以将待标定光刻机作为参照基准，标定出不同上片角度下的上片相对偏移量。因此，本发明不但提高了标定效率，保证了光刻的精准度，而且应用场景多样化，通用性好，适用范围广。

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发明人：尹铉;崔基熏;金泰熙;梁孝源;郑映大;郑智训 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明构思提供了一种掩模处理设备。所述掩模处理设备包括：支撑单元，所述支撑单元被配置为支撑和旋转掩模，所述掩模具有在其多个单元内的第一图案和在所述多个单元的区域外部的第二图案；加热单元，所述加热单元包括激光照射模块和移动模块，所述激光照射模块具有用于将激光照射到所述第二图案的激光照射器，所述移动模块被配置为改变所述激光照射模块的位置；以及控制器，所述控制器被配置为控制所述支撑单元和所述加热单元，并且其中当处理位置基于所述掩模的中心被分成从第一象限到第四象限的四个相等部分时，所述激光照射器在从待机位置线性地移动到所述处理位置的方向上定位在所述第四象限和所述第一象限处、在垂直于所述第四象限的方向上定位在第三象限处并且在垂直于所述第一象限的方向上定位在所述第二象限处，并且其中所述控制器控制所述支撑单元的旋转，使得所述第二图案定位在所述第四象限处。

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申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种带有光刻自对准精度测量结构的掩膜版及光刻方法。掩膜版上形成有至少一个曝光单元，曝光单元包括位于正中间的管芯区域、位于管芯区域的四周且与管芯区域相邻接的四个划片槽区域以及位于划片槽区域一侧的四个缓冲区域；曝光单元内还形成有光刻自对准精度测量结构，光刻自对准精度测量结构包括多个第一图形和多个第二图形，第一图形位于划片槽区域，第二图形位于缓冲区域，至少有一第一图形和第二图形的中心点位于同一水平线上，至少有一第一图形和第二图形的中心点位于同一垂直线上，第一图形和第二图形均为中心对称图形。采用本发明可及时发现相邻被曝光单元的偏差，有助于降低返工作业量，提高工艺良率和降低生产成本。

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掩膜版、阵列基板及显示面板-202221950910.2
发明人：蔡昌宇;乔传兴;赵约瑟;王凯;袁进 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本申请涉及显示屏技术领域，公开了一种掩膜版、阵列基板及显示面板。所述掩膜版上设有测试线路及平衡线路，测试线路包括主线路及连接于主线路上的多组支线路，支线路包括输入线路及输出线路，输入线路一端连接于主线路，输出线路的一端与输入线路远离主线路的一端相对且交错设置；平衡线路连通多组支线路的输入线路与输出线路并且用于平衡多条输入线路与多条输出线路之间的电荷，平衡线路的线宽小于曝光机的曝光精度。本申请提供的掩膜版、阵列基板及显示面板，用于解决相关产品制作及使用过程中因静电积累而容易引起静电击伤的技术问题。

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申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开了一种掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，掩膜板组件包括两个以上的掩膜板，两个以上的掩膜板能够相拼接形成预设的掩膜图案，掩膜板包括：基底层，包括掩膜区以及环绕在掩膜区周侧的非掩膜区，掩膜区包括用于拼接形成掩膜图案的掩膜图案单元，非掩膜区包括用于拼接的拼接区域；以及电阻层，设置于拼接区域且沿平行于拼接界面的第一方向延伸预定宽度；其中，相邻两个掩膜板的电阻层对接形成待测电阻，待测电阻的电阻值与对接接触面积的大小成反比。本发明提供的掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法，能够直观、有效地监测掩膜板组件的拼接精度。

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申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供了一种用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版，包括包括掩膜版本体，掩膜版本体上均匀设有n条相互平行的分割线，将n条所述分割线均分为p个曝光场，所述分割线呈矩形，分割线的线宽为光刻机的极限解析度的0.8‑1.8倍，相邻两条分割线的间距为曝光场上的透光区域，所述间距等于线宽；本发明提供的用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版能快速的完成光刻机最佳焦距的测定，并且可以对未知工艺的最佳曝光条件进行快速测定。

用于使用焦点敏感叠盖目标进行焦点确定的系统及方法-201680026716.6
发明人： W·米厄尔 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明揭示一种光刻掩模。所述光刻掩模包含至少一个不对称经分段图案元素。特定不对称经分段图案元素包含至少两个分段，其中连续分段之间的分离距离比用于在样本上产生所述特定不对称经分段图案元素的图像的一组投射光学器件的分辨率小，使得所述特定不对称经分段图案元素的所述图像为未经分段图案图像。所述未经分段图案图像在所述样本上的位置指示所述样本沿着所述组投射光学器件的光轴的位置。

一种标准片及掩膜版组件-202122649323.1
发明人：蒋路翔;黄有为;陈鲁;张嵩 -专利权人：深圳中科飞测科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本申请公开了一种标准片包括至少一层图案层，每一图案层设置有至少一种标准图案，标准图案包括第一工作台检测标定图案、第一光学标定图案、第一套刻量测图案或第一关键尺寸图案，且至少一层图案层包括四种标准图案中的至少两种。一种掩膜版组件用于生产同一标准片，至少一个掩膜版包括多个独立区域，不同独立区域刻有标准片的不同图案层的图案。本申请实施例在同一标准片上设置四种标准图案中的至少两种，将两种或多种标准片合为一个标准片，减少了标准片的种类，降低了对标准片的管理复杂度。

用于在光刻设备中识别掩模版的设备和方法-202080056946.3
发明人： Y·弗拉迪米斯基;M·阿里夫;J·H·瓦尔什 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F1/44
摘要：一种用于诸如掩模版的掩模版的码标记，其中标记的各个元件包括衍射光栅，使得元件的视亮度取决于来自元件的光是否被衍射到读取器的透镜的数值孔径内或数值孔径外。

光刻机的焦距监控光罩及方法-201811195014.8
发明人：陈成;朱晓斌;蔡亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开了一种光刻机的焦距监控光罩，包括：多个具有平面式结构的第一种图形结构和多个由平面式结构和楔型结构叠加而成第二种图形结构，楔型结构能使光线方向和光程改变；第一和二种图形结构排列成对应的阵列结构；光刻机的焦距由通过第一种图形结构曝光形成的第一种曝光图形和由第二种图形结构曝光形成的第二种曝光图形的叠加图形的套准进行测量得到，楔型结构对光线方向的改变使焦距的纵向变化转移到横向上使套准计算焦距得以实现；所有第二种图形结构的楔型结构的楔型方向设置相同。本发明还公开了一种光刻机的焦距监控方法。本发明能增加用于焦距测量的叠加图形的数量增加以及分布位置，提高对焦距的模拟计算的精确性，且成本低易实现。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[实用新型]掩膜版、阵列基板及显示面板有效

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