[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221652114.0 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN217719609U | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 殷立炜;吴昀铮;潘姿文;杨鈤笙;林育贤;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭示改进的栅极结构及包括改进的栅极结构的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括位于半导体基板上方的栅极结构，栅极结构包括高k值介电层；位于高k值介电层上方的栅极；位于高k值介电层及栅极上方且与高k值介电层及栅极接触的导电帽，导电帽的顶表面为凸的；以及位于栅极结构的多个相对侧上的第一栅极间隙物，高k值介电层及导电帽在这些第一栅极间隙物的多个相对侧壁之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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