[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221652114.0 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN217719609U | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 殷立炜;吴昀铮;潘姿文;杨鈤笙;林育贤;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一栅极结构，位于一半导体基板上方，该栅极结构包含：
一高k值介电层；
一栅极，位于该高k值介电层上方；以及
一导电帽，位于该高k值介电层及该栅极上方且与该高k值介电层及该栅极接触，其中该导电帽的一顶表面为凸的；以及
多个第一栅极间隙物，位于该栅极结构的多个相对侧上，其中该高k值介电层及该导电帽在所述多个第一栅极间隙物的多个相对侧壁之间延伸。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该栅极的一顶表面为凸的。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：
一第一层间介电层，位于该栅极结构及所述多个第一栅极间隙物上方；以及
一栅极触点，延伸穿过该第一层间介电层，其中该栅极触点与该导电帽的该顶表面实体接触，且其中该栅极触点电耦合至该栅极结构。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含位于所述多个第一栅极间隙物的多个相对侧上的一蚀刻终止层，其中该第一层间介电层在该蚀刻终止层的多个相对侧壁之间延伸，且其中该第一层间介电层的一顶表面、该蚀刻终止层的一顶表面与该栅极触点的一顶表面彼此齐平。
5.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一通道区域，位于一半导体基板上方；以及
一第一栅极堆叠，位于该第一通道区域上方，该第一栅极堆叠包含：
一第一栅极介电层，位于该第一通道区域上方；
一第一栅极，位于该第一栅极介电层上方，该第一栅极包含一第一凸顶表面；以及
一第一导电帽，位于该第一栅极上方，该第一导电帽包含一平坦顶表面或一第二凸顶表面。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一栅极介电层在该第一通道区域上方具有一第一高度，其中该第一栅极在该第一通道区域上方具有一第二高度，且其中该第二高度大于该第一高度。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该第二高度与该第一高度之比为1.2至2.0。
8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含与该第一栅极堆叠的多个相对侧壁相邻的多个第一栅极间隙物，其中该第一栅极介电层及该第一导电帽接触所述多个第一栅极间隙物。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第一栅极间隙物的一顶表面与该半导体基板的一顶表面之间的一第一距离大于该第一导电帽的一顶表面与该半导体基板的该顶表面之间的一第二距离。
10.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一半导体基板；以及
一栅极结构，位于该半导体基板上方，该栅极结构包含：
一高k值介电层；
一栅极，位于该高k值介电层上方；以及
一导电帽，位于该高k值介电层及该栅极上方且与该高k值介电层的一顶表面及该栅极的一顶表面接触，其中该导电帽的一顶表面为凸的。
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