[实用新型]一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备有效
申请号: | 202221046233.1 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN217628611U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/32 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于化学气相沉积技术领域,尤其是涉及一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,包括炉体,其在内部构成沉积空腔;所述炉体的上端设置有第一进气孔,所述炉体的下端侧壁上设置有出气孔;所述炉体的内壁上紧贴设置有引流环并能够升降滑动设置,所述引流环内壁面为引流面,所述引流面从上到下向引流环的圆心方向倾斜延伸设置并呈倾斜的斜面状;所述炉体内腔底部设置有用于承载基体的载置台。该沉积设备其能够沉积多种形状的基体,且碳化硅涂层的致密性和均匀性较好,进一步拓宽了沉积腔室的使用范围,降低了经济成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 涂层 生产 化学 沉积 设备 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的