[实用新型]一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备有效
申请号: | 202221046233.1 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN217628611U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/32 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 涂层 生产 化学 沉积 设备 | ||
1.一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:包括炉体(2),其在内部构成沉积空腔;所述炉体(2)的上端设置有第一进气孔(21),所述炉体(2)的下端侧壁上设置有出气孔(23);所述炉体(2)的内壁上紧贴设置有引流环(3)并能够升降滑动设置,所述引流环(3)内壁面为引流面(31),所述引流面(31)从上到下向引流环(3)的圆心方向倾斜延伸设置并呈斜面状;所述炉体(2)内腔底部设置有用于承载基体的载置台(64)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述引流面(31)的上端和炉体(2)的内壁面光滑过渡衔接。
3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述炉体(2)通过支架(1)连接支撑固定,所述炉体(2)的底部均布有至少三个气缸(4),所述气缸(4)的活塞杆(41)伸入到炉体(2)内腔中,且活塞杆(41)的末端和引流环(3)的底端可拆卸连接。
4.根据权利要求3所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述炉体(2)的上端外壁向上凸出形成凸环,并于内部形成环形的容纳腔体(22),所述引流环(3)能够上升到容纳腔体(22)中设置。
5.根据权利要求1所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述出气孔(23)设置有若干个,圆周均布在炉体(2)下端侧壁上。
6.根据权利要求1所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述炉体(2)的底侧中心设置有转轴(6),所述转轴(6)的上端连接有载置台(64),所述转轴(6)另一端伸到炉体(2)外侧并和旋转电机(7)连接传动。
7.根据权利要求6所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述载置台(64)的内部设置有加热机构(65)。
8.根据权利要求7所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述转轴(6)内设置有环形通道(62),在转轴(6)的上端圆周上均布有若干个和环形通道(62)连通的第二进气孔(63),所述第二进气孔(63)向转轴(6)的中心倾斜向上延伸设置。
9.根据权利要求1所述的碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备,其特征在于:所述引流面(31)的外轮廓线设置成直线或曲线状。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的