[实用新型]一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备

说明书

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，尤其是涉及一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备，包括炉体，其在内部构成沉积空腔；所述炉体的上端设置有第一进气孔，所述炉体的下端侧壁上设置有出气孔；所述炉体的内壁上紧贴设置有引流环并能够升降滑动设置，所述引流环内壁面为引流面，所述引流面从上到下向引流环的圆心方向倾斜延伸设置并呈倾斜的斜面状；所述炉体内腔底部设置有用于承载基体的载置台。该沉积设备其能够沉积多种形状的基体，且碳化硅涂层的致密性和均匀性较好，进一步拓宽了沉积腔室的使用范围，降低了经济成本。

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，尤其是涉及一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备。

背景技术

碳化硅具有优异的物理化学性能，如高熔点、高硬度、耐腐蚀、抗氧化等，特别是在1800-2000℃范围，具有良好的抗烧蚀性能，因此，在航空航天、兵器装备等领域具有广阔的应用前景。但碳化硅本身不能作为结构材料使用，所以通常采用制备涂层的方法，以利用其耐磨性以及抗烧蚀性。碳化硅涂层一般是采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备碳化硅涂层。其中，化学气相沉积的方法较为常用。

化学气相沉积，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。一般地，化学气相沉积可以理解为两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后两种原材料之间发生气相热分解反应，形成一种新的材料，沉积到基体晶片表面上，使得基体获得更好的表面质量效果；其中，气体原材料一般为金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等气体。

在传统的碳化硅涂层生产中，针对不同的基体，所需要的载置台、或者沉积腔室的结构设计均有所不同。比如：针对圆块状的基体和管状的基体，将基体固定的支撑固定装置均不一样，进气方向等结构设计均不一样。因此，传统的沉积炉一般都是定制化设计，能够沉积的基体单一，无法对多种形状的基体进行沉积。此外，如果同一沉积腔室沉积不同结构、形状的基体，容易导致气体原材料的分布不均匀，容易降低沉积速率，使碳化硅涂层的致密性和均匀性较差，从而使产品质量降低。

实用新型内容

针对背景技术中存在的技术问题，本实用新型提供了一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备，其能够沉积多种形状的基体，且碳化硅涂层的致密性和均匀性较好，进一步拓宽了沉积腔室的使用范围。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案为：

一种碳化硅涂层生产用化学气相沉积设备，包括炉体，其在内部构成沉积空腔；所述炉体的上端设置有第一进气孔，所述炉体的下端侧壁上设置有出气孔；所述炉体的内壁上紧贴设置有引流环并能够升降滑动设置，所述引流环内壁面为引流面，所述引流面从上到下向引流环的圆心方向倾斜延伸设置并呈倾斜的斜面状；所述炉体内腔底部设置有用于承载基体的载置台。

可选的，所述引流面的上端和炉体的内壁面光滑过渡衔接。

可选的，所述炉体通过支架连接支撑固定，所述炉体的底部均布有至少三个气缸，所述气缸的活塞杆伸入到炉体内腔中，且活塞杆的末端和引流环的底端可拆卸连接。

可选的，所述炉体的上端外壁向上凸出形成凸环，并于内部形成环形的容纳腔体，所述引流环能够上升到容纳腔体中设置。

可选的，所述出气孔设置有若干个，圆周均布在炉体下端侧壁上。

可选的，所述炉体的底侧中心设置有转轴，所述转轴的上端连接有载置台，所述转轴另一端伸到炉体外侧并和旋转电机连接传动。

可选的，所述载置台的内部设置有加热机构。

可选的，所述转轴内设置有环形通道，在转轴的上端圆周上均布有若干个和环形通道连通的第二进气孔，所述第二进气孔向转轴的中心倾斜向上延伸设置。

可选的，所述引流面的外轮廓线设置成直线或曲线状。