[实用新型]一种反熔丝存储单元及其阵列、芯片有效
| 申请号： | 202220911259.1 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN217114386U | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王春华 | 申请（专利权）人： | 南京沁恒微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种反熔丝存储单元及其阵列、芯片，反熔丝存储单元包括P型基底，P型基底上设有N阱；具有P型掺杂区的第一有源区和具有N型掺杂区的第二有源区；第一有源区包括第一子区和第二子区，第二有源区与第二子区均位于第一子区同侧，第一子区、第二子区均与第二有源区相连，定义第二子区与第二有源区相接触的部位为交界线；栅结构，覆盖交界线，并延交界线方向延伸出第一有源区；第一子区、第二子区、第二有源区及栅结构上均有接触孔，且第一子区上的接触孔至少有两个，第一子区上的两个接触孔位于栅结构异侧。本实用新型结构简单、排列紧凑、面积小、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反熔丝 存储 单元 及其 阵列 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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