[实用新型]一种反熔丝存储单元及其阵列、芯片

权利要求书

1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：

具有P型基底，P型基底上设有N阱；

第一有源区和第二有源区，设在N阱上，所述第一有源区为P型掺杂区，所述第二有源区为N型掺杂区；

所述第一有源区包括第一子区和第二子区，所述第二有源区与第二子区均位于第一子区同侧，第一子区、第二子区均与第二有源区相连接，定义第二子区与第二有源区相接触的部位为交界线；

栅结构，所述栅结构位于第一有源区和第二有源区上方，且覆盖交界线，并延交界线方向延伸出第一有源区；

第一子区、第二子区、第二有源区及栅结构上均有接触孔，且第一子区上的接触孔至少有两个，第一子区上的两个接触孔位于栅结构异侧。

2.根据权利要求1所述的反熔丝存储单元，其特征在于，无专用的阱接触。

3.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第一有源区为L型。

4.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第二有源区与第二子区上的接触孔的个数均为一个或两个。

5.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述第一有源区的第一子区上的接触孔有四个，栅结构两侧各有两个。

6.根据权利要求1或2所述的反熔丝存储单元，其特征在于，所述栅结构采用CORE内核器件或者低压工艺器件的栅，栅结构的氧化层厚度不超过40埃。

7.一种反熔丝存储单元阵列，其特征在于，包括多个如权利要求1-6任一所述的反熔丝存储单元，多个反熔丝存储单元横向排列，相邻反熔丝存储单元共用第二有源区或第一有源区的第二子区。

8.根据权利要求7所述的反熔丝存储单元阵列，其特征在于，反熔丝存储单元中的第一有源区的第一子区被栅结构分为两个共用区，相邻反熔丝存储单元之间共用一个共用区。

9.一种反熔丝存储芯片，其特征在于，包含如权利要求7-8任一所述的反熔丝存储单元阵列。