[实用新型]一种半导体功率器件的散热封装结构有效

专利信息
申请号: 202220820607.4 申请日: 2022-04-11
公开(公告)号: CN218632008U 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 王辉 申请(专利权)人: 西安英冉半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473
代理公司: 西安知遇汇尔专利代理事务所(普通合伙) 61286 代理人: 雷兴领
地址: 710000 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种半导体功率器件的散热封装结构,包括;外壳,外壳呈圆柱状且内部为空心结构,外壳内安装有半导体功率器件晶闸管,外壳上固定安装有用于对外壳内部晶闸管进行散热的冷却环,冷却环上固定安装有用于将冷却环进行密封的冷凝板,冷凝板上安装有用于散热的可调节散热组件,通过可调节散热组件控制散热面积。本实用新型设计新颖,移动块带动滑杆移动,滑杆移动带动上连接的滑筒发生移动,移动的滑筒带动其上固定的滑动杆移动,因为驱动滑槽向内侧倾斜,导致滑动杆发生移动,通过滑动杆的移动带动散热板移动,减小或增大两块相邻散热板的距离,通过改变距离增加散热板的散热面积,提升散热效率。
搜索关键词: 一种 半导体 功率 器件 散热 封装 结构
【主权项】:
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